在用于MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑到MOS管的导通电阻、仅次于电压、仅次于电流等，也有很多人意味着考虑到这些因素。这样的电路或许是可以工作的，但并不是杰出的，作为月的产品设计也是不容许的。

　　下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结，其中参照了一些资料，并非原创。还包括MOS管的讲解、特性、驱动以及应用于电路。

　　MOSFET管FET的一种（另一种是JEFT），可以被生产成增强型或消耗型，P闸极或N闸极共4种类型，但实际应用于的只有增强型的N闸极MOS管和增强型的P闸极MOS管，所以一般来说提及的NMOS，或者PMOS就是指这两种。　　至于为什么不限于号消耗型的MOS管，不建议刨根问底。　　对于这两种增强型MOS管，较为常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且更容易生产。

所以开关电源和马达驱动的应用于中，一般都用NMOS，下面的讲解中，也多以NMOS居多。　　MOS管的三个管教之间有寄生电容不存在，这不是我们必须的，而是由于生产工艺容许产生的，寄生电容的不存在使得在设计或自由选择驱动电路的时候要困难一些，但没办法防止，后边再行详尽讲解。

　　在MOS管原理图上可以看见漏极和源极之间有一个宿主二极管，这个叫体二极管，在驱动感性阻抗（如马达），这个二极管很最重要。偷偷地说一句，体二极管只在单个的MOS管中不存在，在集成电路芯片内部一般来说是没的。

　　MOS管导通特性　　导通的意思是作为电源，相等于电源开口。　　NMOS的特性，Vgs小于一定的值就不会导通，限于于源近于短路的情况（低端驱动），只要栅极电压超过4V或10V就可以了。

　　PMOS的特性，Vgs大于一定的值就不会导通，限于于源近于相接Vcc的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很便利的用于高端驱动，但由于导通电阻大，价格喜，更换种类较少等原因，在高端驱动中，一般来说还是用NMOS。

　　MOS电源管损失　　不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻不存在，这样点电流就不会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫作导通损耗。自由选择导通电阻小的MOS管会增大导通损耗，现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫伏左右，几豪欧的也有。　　MOS在导通和累计的时候，一定不是在瞬间已完成的。

MOS两端的电压有一个上升的过程，流到的电流有一个下降的过程，在这段时间内，MOS管的损失时电压和电流的乘积，叫作电源损失。一般来说电源损失比导通损失小得多，而且电源频率就越慢，损失也越大。　　导通瞬间电压和电流的乘积相当大，导致的损失也相当大。

延长开关时间，可以增大每次导通时的损失，减少电源频率，可以增大单位时间内的电源次数。这两种办法都可以增大电源损失。　　MOS管驱动　　跟双极性晶体管比起，一般指出使MOS管导通不必须电流，只要GS电压低于一定的值，就可以了。这个很更容易做，但是，我们还必须速度。

　　在MOS管的结构中可以看见，在GS、GD之间不存在寄生电容，而MOS管的驱动，实质上就是对电容的充放电。对电容的电池必须一个电流，因为电容电池瞬间可以把电容看作短路，所以瞬间电流不会较为大。自由选择/设计MOS管驱动时第一要留意的是可获取瞬间短路电流的大小。　　第二留意的是，广泛用作高端驱动的NMOS，导通时必须是栅极电压小于源近于电压。

而高端驱动的MOS管导通时源近于电压和漏极电压（Vcc）完全相同，所以这是栅极电压要比Vcc大4V或10V。如果在同一个系统里，要获得比Vcc大的电压，就要专门的降压电路了。很多马达驱动器都构建了电荷泵，要留意的是应当自由选择适合的外接电容，以获得充足的短路电流去驱动MOS管。　　上边说道的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然必须有一定的余量。

而且电压越高，导通速度就越慢，导通电阻也就越小。

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